begrabene Schicht — paslėptasis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried layer vok. begrabene Schicht, f; vergrabene Schicht, f rus. скрытый слой, m; утопленный слой, m pranc. couche cachée, f; couche enterrée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Bipolartechnik — Bipolartechnik, Halbleitertechnologie und Mikroelektronik: Gesamtheit der Verfahren zur Herstellung von bipolaren Transistoren und aus ihnen zusammengesetzten oder sie in monolithischer Bauweise integriert als Funktions und Schaltelemente… … Universal-Lexikon
buried layer — paslėptasis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried layer vok. begrabene Schicht, f; vergrabene Schicht, f rus. скрытый слой, m; утопленный слой, m pranc. couche cachée, f; couche enterrée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
couche cachée — paslėptasis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried layer vok. begrabene Schicht, f; vergrabene Schicht, f rus. скрытый слой, m; утопленный слой, m pranc. couche cachée, f; couche enterrée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
couche enterrée — paslėptasis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried layer vok. begrabene Schicht, f; vergrabene Schicht, f rus. скрытый слой, m; утопленный слой, m pranc. couche cachée, f; couche enterrée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
paslėptasis sluoksnis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried layer vok. begrabene Schicht, f; vergrabene Schicht, f rus. скрытый слой, m; утопленный слой, m pranc. couche cachée, f; couche enterrée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
скрытый слой — paslėptasis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried layer vok. begrabene Schicht, f; vergrabene Schicht, f rus. скрытый слой, m; утопленный слой, m pranc. couche cachée, f; couche enterrée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
утопленный слой — paslėptasis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried layer vok. begrabene Schicht, f; vergrabene Schicht, f rus. скрытый слой, m; утопленный слой, m pranc. couche cachée, f; couche enterrée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Allotaxie — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um … Deutsch Wikipedia
OMBE — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um … Deutsch Wikipedia